一种氮化碳纳米锥及其制备方法

【全创自营】 一种氮化碳纳米锥及其制备方法,所述氮化碳纳米锥包含β-C3N4、...

号:2008102035974

业:工业

专利类型:发明专利

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一种氮化碳纳米锥及其制备方法,所述氮化碳纳米锥包含β-C3N4、石墨相C3N4和CNx;其中,x为正整数或小数。其制备方法包含如下步骤:(1)在一个真空腔中的光滑衬底材料表面沉积一层10~100纳米的金属中间层;(2)将所述衬底加热至280~300摄氏度,使其自然冷却;(3)将步骤(2)所得的衬底放置在真空腔内的一个石墨基座上,该石墨基座上方设置一原子束源,将1/20~1/150体积比的甲烷/氮气混合气体通入该原子束源;(4)保持所述原子束源的放电电压在100~300伏之间、原子束源内气压为3~100乇,沉积速率为0.01~0.1微米/分钟,沉积时间为5~45分钟;得到氮化碳纳米锥。

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